机译:使用叔丁基膦(TBP)和1,1-二甲基肼(DMHy)的GaPN膜的MOVPE生长和光学表征
机译:在纯N-2环境中使用叔丁基ar(TBA)进行InAs量子点的LP-MOVPE生长
机译:在纯N_2环境中使用叔丁基ar(TBA)进行Si掺杂GaAs和Al_xGa_(1-x)As的MOVPE生长
机译:使用叔丁烷(TBA)和二甲基肼(DMHY)的GANAS的MOVPE生长
机译:使用叔丁基ar和叔丁基膦优化MOCVD生长以实现1.55微米低阈值电流激光器
机译:MOVPE生长条件对锗掺杂GaN层的影响
机译:二甲基肼(DmHy)对Gaas衬底的氮化
机译:LWIR alInas / GaInas / Inp量子级联激光器的mOVpE生长:生长和材料质量对激光性能的影响。