机译:高质量6H-SiC(0001)同质外延层作为AlN外延层生长的衬底表面
机译:LP-MOVPE在6H-SiC衬底上外延生长与AlN相匹配的高质量BAlGaN四元晶格用于深紫外发射
机译:使用H_2-SiH_4-C_3H_8 CVD系统在2°切角4H-SiC(0001)Si面基板上进行同质外延生长
机译:(BAIGA)N季度系统和(0001)6H-SIC基板的外延生长通过低压MO-VPE
机译:微金属应用中通过金属有机气相外延生长在6H-SiC(0001)衬底上的GaN和AlGaN的生长,掺杂和表征。
机译:脉冲激光沉积制备6H-SiC(0001)衬底上VO2薄膜的增强的相变特性
机译:6H-SiC(0001)和Si(111)衬底上GaN和Algan合金薄膜的pendeo-Xizaial生长和表征。