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机译:193 nm光刻的掩模规格
Wilhelm Maurer; Siemens AG; Munich; Germany.;
机译:相移掩膜偏振法:使用相移掩膜监测193 nm高数值孔径的偏振和浸没式光刻
机译:使用带有新开发的偏振光学元件的掩模对193 nm光刻设备进行偏振诊断
机译:极端紫外光刻中考虑掩模误差过程敏感性的掩模临界尺寸规格
机译:193-nm光刻的面罩规格
机译:无光掩模光刻的热驱动微快门阵列器件
机译:高度对准的聚合物纳米线蚀刻掩模光刻可实现石墨烯纳米孔晶体管的整合
机译:193-NM光刻的分辨率增强材料,包括2-羟基苄醇和具有均匀抗蚀剂图案收缩的聚(乙烯醇)
机译:193纳米光刻
机译:用于EUV光刻的掩模坯料的衬底的制造方法,具有用于EUV光刻的多层反射膜的衬底的制造方法,用于EUV光刻的掩模坯的制造方法以及用于EUV光刻的转移掩模的制造方法
机译:用于EUV光刻的面膜空白的制造方法,用于EUV光刻的具有多层反射膜的基板的制造方法,用于EUV光刻的面膜的制造方法以及用于EUV光刻的转移膜的制造方法
机译:用于193 nm光刻的双层光敏可溶于显影剂的底部抗反射涂层
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