公开/公告号CN101017322A
专利类型发明专利
公开/公告日2007-08-15
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;
申请/专利号CN200610003068.0
申请日2006-02-08
分类号G03F1/08;G03F7/20;G03F7/30;G03F7/36;
代理机构中科专利商标代理有限责任公司;
代理人段成云
地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
入库时间 2023-12-17 18:59:03
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2009-12-30
发明专利申请公布后的视为撤回
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-10-10
实质审查的生效
实质审查的生效
2007-08-15
公开
公开
机译: 半成品型移相掩模,形成半透明部件的材料,用于生产半成品型移相掩模,以及半成品型移相掩模的生产
机译: EUV光刻技术中铬边墙衰减型移相膜的制造方法
机译: 移相掩模相移角,光刻工艺和移相掩模的检测方法