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用于193nm光学光刻的侧墙铬衰减型移相掩模制作方法

摘要

一种用于193nm光学光刻的侧墙铬衰减型移相掩模制作方法,其工艺步骤如下:1.在熔石英衬基表面上淀积衰减型移相层薄膜;2.在衰减型移相层薄膜表面上甩电子束光刻胶,并进行电子束光刻、显影;3.各向异性刻蚀衰减型移相层薄膜;4.去除电子束光刻胶;5.在衰减型移相层薄膜表面上大面积淀积吸收体材料铬;6.各向同性刻蚀吸收体材料铬;7.清洗;8.特征尺寸及相对定位测量;9.缺陷检测与修补;10.衰减型移相器检测;11.安装表面粘贴膜,完成侧墙铬衰减型移相掩模的制作。

著录项

  • 公开/公告号CN101017322A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2007-08-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;

    申请/专利号CN200610003068.0

  • 发明设计人 谢常青;刘明;

    申请日2006-02-08

  • 分类号G03F1/08;G03F7/20;G03F7/30;G03F7/36;

  • 代理机构中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人段成云

  • 地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

  • 入库时间 2023-12-17 18:59:03

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2009-12-30

    发明专利申请公布后的视为撤回

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2007-10-10

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-08-15

    公开

    公开

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