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无铬相位光刻和有铬的常规混合移相掩模制作70nm光刻栅图形的模拟研究

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光刻技术一直是集成电路工业发展中的重要推动力,移相掩模是提高光刻分辨率的重要分辨率增强技术.本文对无铬相位光刻和有铬的常规混合移相掩模进行了初步研究,采用PROLITH8.0光学光刻模拟软件,在ArF步进扫描光刻机、Quasar四极照明(离轴照明外相干因子为0.85,离轴照明内相干因子为0.55,四极照明开口角为30°)的条件下,成功模拟出70nm的典型栅光刻图形.

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来源
《第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会》|2003年|253-256|共4页
会议地点深圳
作者
谢常青; 刘明; 陈宝钦; 陈大鹏; 康晓辉; 陆晶; 叶甜春;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类制造工艺;
关键词
无铬相位光刻; 混合移相; 光刻栅图形; 集成电路;

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