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机译:具有超薄栅极电介质的高性能PD SOI CMOS的可靠性挑战
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机译:N_2O / NO基超薄氧氮化物栅介电材料在CMOS ULSI应用中的最新进展
机译:将超薄(1.6-2.0 nm)RPECVD堆叠的氧化物/氮氧化物栅极电介质集成到双多晶硅栅极亚微米CMOSFET中。
机译:超薄Hf-Ti-O高k栅介电薄膜的电学特性及其在ETSOI MOSFET中的应用
机译:用于纳米级CMOS器件的超薄栅极氧化物和高k电介质的可靠性建模