用于高性能CMOS应用的超薄Hf掺杂氮氧化硅膜及制造方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，包括在基础栅电介质层(53)上形成均匀的扩散控制稳定材料的缓冲层，然后形成包括过渡金属原子源的均匀层，之后退火所述结构以将过渡金属原子从它们的源扩散经过扩散控制材料并进入基础栅电介质层(53)。