immersion lithography; defects; water drop; watermark; leaching; chemically amplified reaction; TARC; protective coating;
机译:浸没式光刻水印的形成因素
机译:工艺相关和雾度缺陷对193 nm浸没式光刻的影响
机译:工艺相关和雾度缺陷对193 nm浸没式光刻的影响
机译:浸没式光刻中水印缺陷的改善:使用碱性可溶浸没面漆的水印缺陷形成机理及其减少
机译:用于浸没式光刻的水性和有机液体的折射率和吸收率。
机译:溶剂浸渍压印光刻:高性能半自动程序
机译:用特殊路由进行缺陷浸入光刻