Integrated circuits; Electron devices; Rough surfaces; Surface roughness; Surface treatment; Aluminum gallium nitride; Wide band gap semiconductors;
机译:常关P-GaN门控AlGaN / GaN Hemts使用等离子体氧化技术在接入区域中
机译:普通of of ovall / gan hemts的肖特基/欧姆型P-GaN门中栅极不稳定特性的研究
机译:肖特基门P-Gan / AlGan / GaN Hemts常关操作的设计考虑因素
机译:性能改进的常关型AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管,在凹入的栅极下方具有设计的p-GaN区域
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:用多指架构调制对高功率应用的自终止蚀刻技术常关P-GAN / ALGAN / GAN HEMT的研究
机译:常关P-GaN门控AlGaN / GaN Hemts使用等离子体氧化技术在接入区域中