aluminium compounds; gallium compounds; high electron mobility transistors; III-V semiconductors; MIS devices; semiconductor device reliability; wide band gap semiconductors;
机译:超薄势垒AlGaN / GaN异质结构上制备的高均匀性常关GaN MIS-HEMT
机译:超薄屏障AlGaN / GaN异质结构:用于制造和整合GaN的功率器件和动力驱动电路的无凹陷技术
机译:具有厚未掺杂GaN栅极层的常关型AlGaN / GaN / AlGaN双异质结FET
机译:在超薄屏障AlGaN / GaN异质结构上制造的凹陷常压GaN MIS-HEMT
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:质子辐照对常断型AlGaN / GaN栅嵌入式金属-绝缘体-半导体异质结构场效应晶体管随时间变化的介电击穿特性的影响
机译:常关P-GaN门控AlGaN / GaN Hemts使用等离子体氧化技术在接入区域中
机译:m面alGaN / GaN和alInN / GaN异质结构的外延生长适用于常驻型GaN基板上的常关模式高功率场效应晶体管