Logic gates; MOSFET; Threshold voltage; Silicon-on-insulator; Semiconductor device modeling; Analytical models; Solid modeling;
机译:具有背栅控制的全耗尽(FD)隐式源/漏(Re-S / D)SOI MOSFET的分析阈值电压模型
机译:耗尽层的半分析建模及其对包括结陷电荷的无结双栅极MOSFET阈值电压的影响
机译:小型完全耗尽SOI MOSFET的前,后栅极阈值电压的三维分析建模
机译:3D双栅极阈值建模完全耗尽SOI MOSFET
机译:用于低压集成电路应用的双栅CMOS设计和分析,包括绝缘体上硅MOSFET的物理建模。
机译:在骨骼肌电压门控钠通道亚基beta-1(Nav1.4β1)的低同源性建模的暮光区中预测一个双突变体
机译:使用3D泊松方程的解析解的全耗尽窄通道SOI MOSFET的表面电势和阈值电压模型
机译:多晶硅栅极对具有薄栅氧化层的亚100nm mOsFET中随机掺杂诱导阈值电压波动的影响