Temperature measurement; Gallium nitride; Substrates; Thermal conductivity; Laser excitation; Diamond; Measurement by laser beam;
机译:通过在GaAs和GaN晶圆上使用无损迁移率和薄片载流子密度测量,改善了工艺控制,降低了成本并降低了风险
机译:GaN-on-Diamond晶圆的非接触式热边界电阻测量
机译:导热系数和界面热阻:使用热反射技术测量硅晶片上热氧化的SiO 2 sub>膜
机译:GaN晶片过程控制和优化的非侵入热阻测量
机译:使用原位椭偏仪在快速热处理中测量和控制硅片温度和氧化膜厚度。
机译:加热率对非等温处理下醛酸酸的影响和数学模型优化橙汁加工的影响
机译:GaN-on-diamond晶片的非接触式热边界电阻测量
机译:si,GaN和alGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEmT)晶片的非接触迁移率,载流子密度和薄层电阻测量。