机译:使用指示至少一个左右短路或泄漏,至少一个拐角短路或泄漏以及至少一个通孔或电阻的非接触电测量来处理半导体晶片的方法,其中这种测量是从非-接触垫分别与左右短路,拐角短路以及通过开放测试区域相关
公开/公告号US10199288B1
专利类型
公开/公告日2019-02-05
原文格式PDF
申请/专利权人 PDF SOLUTIONS INC.;
申请/专利号US201815942483
发明设计人 STEPHEN LAM;DENNIS CIPLICKAS;TOMASZ BROZEK;JEREMY CHENG;SIMONE COMENSOLI;INDRANIL DE;KELVIN DOONG;HANS EISENMANN;TIMOTHY FISCUS;JONATHAN HAIGH;CHRISTOPHER HESS;JOHN KIBARIAN;SHERRY LEE;MARCI LIAO;SHENG-CHE LIN;HIDEKI MATSUHASHI;KIMON MICHAELS;CONOR OSULLIVAN;MARKUS RAUSCHER;VYACHESLAV ROVNER;ANDRZEJ STROJWAS;MARCIN STROJWAS;CARL TAYLOR;RAKESH VALLISHAYEE;LARG WEILAND;NOBUHARU YOKOYAMA;
申请日2018-03-31
分类号H01L21/66;H01L27/02;H01L23/528;H01L23/58;H01L29/06;
国家 US
入库时间 2022-08-21 12:08:39