Inductors; HEMTs; Gallium nitride; Phase noise; Frequency measurement; Semiconductor device measurement;
机译:具有四条路径电感器的X波段GaN HEMT振荡器
机译:单匝空芯集成平面电感的设计,以提高基于GaN HEMT的同步降压转换器的热性能
机译:具有可切换电感器阵列的高输出功率和低相位噪声GaN HEMT VCO
机译:具有四条路径电感器的单个GaN HEMT振荡器
机译:复合可重新配置的双频带固态功率放大器使用单个GaN HEMT进行S和X波段操作
机译:使用单个AT-Cut石英晶体的振荡器和使用两个带有串联负载电容或串联负载电感并联的单个AT-Cut晶体的振荡器的频率可拉性的比较
机译:GaN HEMT应用中低电感环设计研究
机译:在提取GaN高电子迁移率晶体管(HEmT)的寄生电感时去除残余栅源电容的数值技术