机译:具有可切换电感器阵列的高输出功率和低相位噪声GaN HEMT VCO
Chang Gung Univ, Dept Elect Engn, Tao Yuan, Taiwan|Chang Gung Mem Hosp, Dept Dermatol, Linkou Branches, Taoyuan, Taiwan;
Chang Gung Univ, Dept Elect Engn, Tao Yuan, Taiwan;
Chang Gung Univ, Dept Elect Engn, Tao Yuan, Taiwan;
Natl Tsing Hua Univ, Dept Engn & Syst Sci, Hsinchu, Taiwan;
Natl Taiwan Normal Univ, Dept Mechatron Engn, Taipei, Taiwan;
voltage-controlled oscillator; switchable inductor; phase noise; output power; tuning range; GaN-on-Si;
机译:使用微型发夹谐振器和三端p-HEMT变容二极管的K波段基于p-HEMT的MMIC VCO,具有低相位噪声和高输出功率特性
机译:使用微型发夹谐振器和三端p-HEMT变容二极管的K波段基于p-HEMT的MMIC VCO,具有低相位噪声和高输出功率特性
机译:基于K带P-HEMT的MMIC VCO使用小型发夹谐振器和具有低相位噪声和高输出功率特性的三端P-HEMT变容二极管
机译:使用差分有源电感器的高输出功率和低相位噪声的新型LC VCO
机译:低相位噪声p-HEMT VCO设计。
机译:用于相控阵雷达和5G新无线电的GaN HEMT放大器设计
机译:使用0.35M GaN-On-Si-obt的高功率和低相噪声MMIC VCO