机译:使用微型发夹谐振器和三端p-HEMT变容二极管的K波段基于p-HEMT的MMIC VCO,具有低相位噪声和高输出功率特性
机译:使用微型发夹谐振器和三端p-HEMT变容二极管的K波段基于p-HEMT的MMIC VCO,具有低相位噪声和高输出功率特性
机译:基于K带P-HEMT的MMIC VCO使用小型发夹谐振器和具有低相位噪声和高输出功率特性的三端P-HEMT变容二极管
机译:用于使用INAS / ALSB HEMT的相控阵应用的低功耗/低噪声MMIC放大器
机译:低相位噪声p-HEMT VCO设计。
机译:用于超低功耗低噪声应用的100MTnm AlSb / InAs HEMT
机译:基于超低相位噪声W波段Gaas的pHEmT mmIC CpW VCO
机译:0.1um Inp HEmT器件和用于从x波段到W波段的低温低噪声放大器的mmIC