Inverse lithography (ILT); EUV lithography; OPC; RET; SRAFs;
机译:使用硅化物直接写入电子束光刻工艺制造用于DUV和EUV光刻的掩模
机译:使用现有光掩模制造能力制造用于EUV光刻的自对准交替相移光掩模的简单方法
机译:使用现有的照片掩模制造能力制造用于EUV照片光刻的自对准交替相移照片掩模的简单方法
机译:Sub-7nm光刻的EUV掩模的ILL优化
机译:具有掩埋缺陷的EUV光刻掩模的仿真和补偿方法。
机译:高敏感性抗蚀性对EUV光刻进行抗衡性:材料设计策略和绩效结果综述
机译:利用单一计算光刻框架优化从设计规则,源和掩模到全芯片:基于水平集方法的逆光刻技术(ILT)
机译:光化掩模成像:sHaRp EUV显微镜的最新结果和未来方向。会议:极紫外(EUV)光刻V,加利福尼亚州圣何塞,2014年2月23日;相关信息:期刊出版日期:2014年4月17日。