机译:高速晶圆旋转垂直CVD工具在n型4H-SiC外延膜上实现高晶圆内生长速率和载流子浓度的均匀性
机译:在低压CVD设备中处理两个晶圆的半导体晶圆上的温度分布和沉积速率
机译:高速晶片旋转垂直CVD工具改善N型4H-SIC外延生长的可重复性
机译:使用无线Sensarray Hightemp-400晶片测量CVD工具中的晶片温度
机译:通过热化学气相沉积(CVD)在图案化的硅晶片上生长碳纳米管。
机译:金膜厚度和表面粗糙度对室温晶圆键合和金-金表面活化键合的晶圆级真空密封的影响
机译:具有超高室温2DEG迁移率的alGaN / GaN-on-si HEmT结构的晶圆级mOCVD生长
机译:2.5(Ω)cm硅晶片表面复合速度非常低,采用si氧化物和si氮化物的低温pECVD得到