HEMTs; MODFETs; Gallium nitride; Energy states; Performance evaluation; Numerical models; Mathematical model;
机译:通过低频S参数测量和基于TCAD的物理设备仿真识别微波功率AlGaN / GaN HEMT中的GaN缓冲阱
机译:通过基于TCAD的器件仿真和晶圆上测量来表征AlN / GaN / AlGaN HEMT的寄生电阻
机译:TCAD模拟对AlGaN / GaN HEMT的俘获和热效应分析
机译:通过数值TCAD模拟系统研究SiC衬底上AlN / GaN / AlGaN HEMT中的陷阱
机译:GaN-SiC界面处具有GaN微坑的AlGaN / GaN HEMT中的散热分析
机译:在6英寸N掺杂的低电阻率SiC基板上的常压P-GaN栅极AlGaN / GaN Hemts的高热耗散
机译:通过低频s参数测量和基于TCaD的物理器件仿真识别微波功率alGaN / GaN HEmT中的GaN缓冲阱