Silicon carbide; MOSFET; Logic gates; Noise figure; Semiconductor device modeling; Electric fields; Resistance;
机译:4H-SiC中单沟道和双沟道UMOSFET的比较
机译:倾斜角离子注入双沟道3.3 kV级4H-SiC UMOSFET
机译:沟槽底部屏蔽区对4H-SiC双沟道MOSFET开关特性的影响
机译:双沟槽4H-SiC MOSFET作为SiC UMOSFET的增强模型
机译:4H-SIC沟槽MOSFET:实用的表面沟道迁移率提取
机译:4H-SIC双沟MOSFET采用分流异质结闸用于改善开关特性
机译:4H-SIC双沟MOSFET采用分流异质结闸,用于改善开关特性
机译:具有高迁移率的常闭4H-siC沟槽栅极mOsFET(预印刷)