EUV lithography; Printability; Phase defect; ABI-HVM tool; ML defect; EUV blank inspection;
机译:光化掩模空白检查和信号分析,可检测高度低至1.5 nm的相位缺陷
机译:通过光电子显微镜对EUVL掩模空白缺陷进行光化检查:检查波长变化的影响
机译:光电子显微镜观察光化性极紫外光刻掩模空白缺陷
机译:EUV扫描仪通过光化空白检查检测到的自然空白缺陷的可印刷性评估
机译:EUV掩模技术的主要挑战:光化掩模检测和掩模3D效果。
机译:一种检测粘合性矫正支架牙齿界面缺陷的新型评价方法
机译:euv光化缺陷检查和缺陷在子32-32-nm半间距上的可打印性