GaN; substrate; ZnO; chemical lift-off; LED; reclaim;
机译:通过氨热法获得的c,m,a和(20.1)面GaN体衬底上GaN外延层的生长
机译:使用等离子体辅助分子束外延技术优化块状GaN衬底上GaN层和GaN / AlGaN异质结的生长
机译:MBE再生长的AlGaN / GaN层可抑制色散,从而在块状GaN衬底上实现CAVET
机译:ZnO膜在(0001)A1_2O_3和(111)Si衬底上沉积的ZnO膜通过MOCVD用作缓冲层的ZnO薄膜生长的GaN层
机译:评估用于检测噬菌体的改良双琼脂层方法以评估玻利维亚农村地区废水回用的潜力。
机译:独立式GaN衬底上注入Mg和掺杂Mg的GaN层中缺陷的比较分析
机译:熔体生长热制备块状ZnO衬底上的GaN外延