GaN STEM SIMS Pyramidal defects Line defects;
机译:氮空位是形成在GaN衬底上的Mg注入GaN层中绿色发光和非辐射复合中心的常见元素
机译:退火对在GaN衬底上生长的Mg掺杂GaN层中亚稳态浅受体的影响
机译:在独立式GaN衬底上具有光滑生长态的高纯度GaN层的氢化物气相外延生长
机译:结势垒肖特基二极管,由在GaN衬底上生长的非常薄的高Mg掺杂p-GaN(20 nm)/ n-GaN层制成
机译:通过异质外延GaN薄膜中的缓冲层控制应力和缺陷
机译:金属有机化学气相沉积在蓝宝石衬底上生长的低Al成分p-GaN / Mg掺杂Al0.25Ga0.75N / n + -GaN极化诱导的反向隧穿结
机译:退火对在GaN衬底上生长的Mg掺杂GaN层中亚稳态浅受体的影响