机译:具有复合$(hbox {In} _ {0.53} hbox {Ga} _ {0.47} hbox {As} / hbox {InAs} / hbox {In} _ {0.53} hbox {Ga} _ {{0.47} hbox {As})$通道和自对准MBE源漏恢复
机译:使用In / sub 0.53 / Ga / sub 0.47 / As覆盖层和SiO / sub 2 /介电盖层通过无杂质空位扩散对In / sub 0.53 / Ga / sub 0.47 / As / InP多量子阱结构进行带隙调谐
机译:通过MOCVD生长具有碳掺杂基极的InP / In / sub 0.53 / Ga / sub 0.47 / As异质结双极晶体管
机译:气源MBE对掺碳In / sub 0.53 / Ga / sub 0.47 / As的脱氢研究及其在InP / In / sub 0.53 / Ga / sub 0.47 / As HBT中的应用
机译:与n-GaAs和n-In(0.53)Ga(0.47)As的欧姆接触:一种热力学方法。
机译:栅极长度变化对栅极优先自对准In0.53Ga0.47As MOSFET性能的影响
机译:Ga0.47In0.53As多量子阱异质结构,由与InP晶格匹配的伪四元(InP)n /(Ga0.47In 0.53As)m短周期超晶格限制
机译:通过分子束外延在(775)B Inp衬底上生长的大量改进的自组织In(0.53)Ga(0.47)as量子线激光器