CMOS-MEMS; SOI; deep RIE; high-voltage; mesa-isolation; micro electrical breakdown; series-connection;
机译:以标准双管CMOS技术实现的非常具有成本效益的高压p沟道晶体管的优化
机译:固态双极马克思调制器的容错能力和半导体的释抑电压
机译:通过具有耗尽层扩展晶体管(DET)的堆叠晶体管配置的分压效应实现21.5 dBm功率处理5 GHz发送/接收CMOS开关
机译:后处理台面隔离串联标准CMOS晶体管的高电压保持能力的实验评估
机译:在标准CMOS技术中实现垂直双极晶体管,用于设计低成本BICMOS集成电路
机译:用于生物传感器的灵敏的全耗尽型电解质-绝缘体-半导体场效应晶体管的标准CMOS制作
机译:论文偏振成像能力和具有65nm标准CMOS工艺的偏振分析CMOS图像传感器的新功能的示范