机译:等离子体增强原子层沉积制备具有Al_2O_3隧道层的纳米Si浮栅存储器的性能和保留特性
机译:用局部应变的O〜+离子诱导弛豫技术制备的弹道互补金属氧化物半导体晶体管的具有弛豫/应变层的突然横向源异质结构
机译:等离子体增强原子层沉积的HfO_2缓冲层对用于非易失性存储应用的金属/铁电/绝缘体/半导体栅堆叠的结构,电和铁电性能的影响
机译:通过机械和等离子体诱导的层状半导体变形制造的多位存储器
机译:等离子体诱发聚苯乙烯上受损层的纳米力学性能和屈曲不稳定性。
机译:半导体:基于并五苯/ P13 /并五苯作为电荷传输层和陷阱层的有机半导体异质结构的高性能非易失性有机场效应晶体管存储器(Adv。Sci。8/2017)
机译:界面状态密度和电导瞬态三维分析在由电子 - 回旋共振等离子体增强化学蒸气沉积的SiOxnyHzFilms制造的金属绝缘体半导体电容器上的无序诱导的间隙状态
机译:在包括非氮化镓柱的基板上制造氮化镓半导体层的方法,以及由此制造的氮化镓半导体结构。