Integrated circuit modeling; Computational modeling; Transistors; Resistance; Switches; Solid modeling;
机译:评估具有横向渐变基底的SOI上横向SiGe HBT的THz性能
机译:使用改进的电荷分配方案对SiGe HBT中的非准静态效应进行建模
机译:SiGe HBT中的横向发射极电流拥挤效应建模
机译:跨越内部基极电阻的横向电荷分配,用于模拟大信号切换期间SiGe HBT中的分布式动态横向效应
机译:SOI设备低功耗,高频横向SiGE HBT的优化TCAD模拟
机译:几层石墨烯/ Pt横向异质结构中的大室温自旋至电荷转换信号
机译:基于桌面模型的SiGe HBTS一致的流体动力学和Monte-Carlo模拟弛豫时间