Silicon carbide; MOSFET; Silicon; Logic gates; Electric fields; Current measurement; Inductors;
机译:卓越的短路性能为1.2kV SIC JBSFET与1.2kV SIC MOSFET相比
机译:具有出色工艺能力和鲁棒性的高性能1.2kV-2.5kV 4H-SiC MOSFET
机译:雪崩坚固性评估为1.2kV45MΩ不对称沟槽SIC MOSFET
机译:与900V Si CoolMOS相比,1.2 kV SiC功率MOSFET的雪崩能力表征
机译:1.2 kV 4H-SiC平面栅极功率MOSFET的设计,分析和优化,用于改进的高频切换
机译:多芯片SIC MOSFET模块多物理仿真辅助光学测量的热阻抗表征
机译:SiC和CoolMOS功率MOSFET中的双极闩锁的紧凑电热可靠性建模和实验表征