基于H-桥双LCC谐振网络SiC MOSFET,CoolMOS和Si MOSFET的性能对比研究

摘要

碳化硅(SiC)MOSFET是一种新型高压功率开关器件,具有导通电阻低、开关速度快的特点.近年来因其适用于高温高频工作环境的突出优势受到广泛的研究和应用,对其开关特性与传统硅(Si)MOSFET进行对比和分析具有重要意义.本文基于H-桥双LCC谐振网络的平台对SiC MOSFET,Si CoolMOS和Si MOSFET的开关波形,开关时间,关断电压变化率(dv/dt),开通电流变化率(di/dt),关断电压尖峰,开关能量损耗进行对比分析.最后在相同输出功率和相同环境温度下比较了分别使用三种MOSFET时系统的效率和散热片的温升.实验结果表明,在相同的测试环境中,SiCMOSFET开关时间最短,关断尖峰较小,能量损耗最小.