Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3; Relaxor; Thin film; Epitaxial growth; MOD; TEM;
机译:基于PZT的固溶体,Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3,Pb(In_(1/2(Nb_(1/2)Nb_(1/2))O_3和“弛豫铁电”的相变问题。 2. Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3,Pb(B'_(1 / 2'B''_(1/2))O的实验结果和相图分析
机译:溶胶-凝胶法制备高取向Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3 Pb(Zr,Ti)O_3薄膜的电性能
机译:Na掺杂(0.3)Pb(In_(1/2)Nb_(1/2))O_3:(0.7)Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3薄膜的制备与表征
机译:MOD方法对Pb纳米结构(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3薄膜的TEM分析
机译:通过扫描热探针法对非接触式和接触式探针与样品之间的热交换进行分析,以定量测量薄膜和纳米结构的热导率。
机译:热蒸发法沉积纳米结构化CdS薄膜:衬底温度的影响
机译:成分调制的$ Pb left(Mg _ { frac {1} {3}} Nb _ { frac {2} {3}} right)通过脉冲受激准分子激光烧蚀技术沉积的O_3-xPbTiO_3 $弛豫薄膜