Si epitaxial growth; cleaning; hydrogen plasma;
机译:ECR氢等离子体原位清洗Si衬底上同质外延膜的低温生长
机译:N2 / H2等离子体对通过自由基增强的金属有机化学气相沉积(REMOCVD)进行同质外延GaN生长的GaN衬底清洗的影响
机译:等离子体清洗碳物质以实现硅同质外延生长
机译:ECR氢等离子体对随后的同性记生长的硅基衬底的表面清洁效果
机译:表征氢蚀刻和/或清洁的氢-6-碳化硅(0001)表面上氮化铝和氮化镓薄膜的生长。
机译:通过脉冲激光沉积朝向垂直于硅和玻璃基板表面的自催化ZnO纳米线的生长
机译:晶片表面清洁硅同质外延,有和没有ECR氢等离子体暴露