法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-12-17
授权
授权
2018-01-30
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 申请日:20170831
实质审查的生效
2018-01-30
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20170831
实质审查的生效
2018-01-05
公开
公开
2018-01-05
公开
公开
2018-01-05
公开
公开
查看全部
机译: 通过从碳化硅衬底选择性地去除硅以在碳化硅衬底上形成用于激活掺杂剂的保护性碳层的制造碳化硅半导体器件的方法
机译: 单晶碳化硅衬底的表面重整方法,单晶碳化硅薄膜的形成方法,离子注入和退火方法,以及单晶碳化硅衬底和单晶硅碳化硅衬底
机译: 改进机械制备的α碳化硅衬底表面以在其上沉积β碳化硅的方法和所得产物