next generation lithography; extreme ultraviolet lithography; EUVL; sputter deposition; chromium; tantalum nitride; TaN_x; absorber; etch;
机译:使用感应耦合等离子体(ICP)的极紫外蚀刻(EUVL)的交替相移掩模(PSM)结构的高度选择性干法蚀刻
机译:TaTe2O7薄膜作为极紫外光刻二元掩模吸收材料的光学性能
机译:用极紫外显微镜观察极紫外光刻掩模上残留型薄吸收体缺陷
机译:溅射沉积的极端紫外线(EUVL)掩模的溅射沉积吸收膜的表征及蚀刻
机译:极紫外光刻(EUVL)掩模载体系统的建模,检测和保护方案。
机译:低温射频溅射沉积在Al0.7Ga0.3N模板上的深紫外透明h-BN膜
机译:聚焦氦和氖离子束诱发的蚀刻,用于先进的极紫外光刻掩模修复
机译:掩模基板要求和极紫外光刻技术的发展211(EUVL)