机译:在SF6 / O2等离子体中高纵横比的深硅刻蚀。二。高纵横比的横向蚀刻机理
机译:SF_6 / O_2等离子体中高纵横比的深硅刻蚀。二。高纵横比的横向蚀刻机理
机译:通过各向异性化学刻蚀,阳极刻蚀和阳极氧化制备高纵横比的多孔砷化镓及其结构
机译:通过阳极键合和高深宽比蚀刻制造的横向电容感应加速度计
机译:脊形波导中红外铟镓砷锑锑量子阱激光器,采用脉冲阳极氧化刻蚀制成。
机译:硅中电荷载流子的高阳极电压聚焦使得能够以高密度和高纵横比蚀刻规则排列的亚微米孔
机译:使用深蚀刻和阳极粘合在Pyrex玻璃芯片上制造的小型化毛细管电泳。
机译:一种CmOs兼容工艺技术,用于制造横向嵌入的多纳米通道而无需牺牲蚀刻