机译:离子束混合技术对深低掺杂结形成Al掺杂的模拟和实验结果
机译:走向具有超浅结突变的共形无损掺杂:Si单层的形成和激光退火作为InGaAs nMOSFET的新型掺杂技术
机译:低掺杂外延PN结扫描电容显微镜测量的仿真和实验验证
机译:低掺杂外延PN结扫描电容显微镜测量的仿真和实验验证
机译:使用快速退火和先进掺杂技术的超浅结形成
机译:低电阻率的锗硅化物接触层形成了用于纳米级CMOS的磷掺杂的硅锗合金源/漏结。
机译:基于低温浅磷掺杂的径向p-n结硅纳米线太阳能电池的实现
机译:InGaN基单结太阳能电池中掺杂水平和深水平的模拟
机译:使用与工具兼容的纳秒热掺杂技术制造用于0.18(μm)mOs器件应用的亚40nm p-n结