机译:快速热退火后Si(100)上外延薄Si_(1-x)Ge_x层中Ge扩散和Si应力变化的显微拉曼表征
机译:通过快速热退火降低在Si(001)衬底上生长的ge外延层中的螺纹位错密度
机译:多波长拉曼光谱在快速热退火过程中非接触监测硅衬底上掺硼外延Si1-xGex双层中Ge和B的扩散
机译:快速热退火过程中InGaAs外延层中的Be扩散:有效的扩散率方法和非平衡模型
机译:氮化(x):外延和多晶层的相组成,微观结构和物理性质。
机译:通过硅衬底上溅射的Ge / Sn / Ge层的快速热退火合成Ge1-xSnx合金薄膜
机译:通过多波长拉曼光谱在快速热退火过程中非接触式监测硅衬底上B掺杂外延si1-xGex双层中的Ge和B扩散
机译:具有sIpOs(半绝缘多晶硅)异质结发射极和离子注入快速热退火基区的高频硅双极晶体管