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Solid State Device Research Conference, 1991. ESSDERC '91

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1.A New Open Technology CAD System

机译：新的开放技术CAD系统
- 作者：Fasching F.;Fischer C.;Halama S.;Pimingstorfer H.;Read H.;Selberherr S.;Stippel H.;Tuppa W.;Verhas P.;Wimmer K.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1991. ESSDERC '91》 | 1991年
2.Analytical Device Model including Velocity Overshoot Effect for Ultra Small MOSFETs

机译：包括速度超调效应的超小型MOSFET分析器件模型
- 作者：Sonoda K.;Taniguchi K.;Hamaguchi C.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1991. ESSDERC '91》 | 1991年
3.Measurement of SOI Film Thickness

机译：SOI膜厚度的测量
- 作者：Badenes G.;Abel H. B.;Gassel H.;Burbach G.;Vogt H.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1991. ESSDERC '91》 | 1991年
4.Worst-Case Simulation Using Principal Component Analysis Techniques: An Investigation

机译：使用主成分分析技术的最坏情况模拟：一项调查
- 作者：Power J.A.;Barry D.;Mathewson A.;Lane W.A.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1991. ESSDERC '91》 | 1991年
5.Parasitic transients induced by floating substrate effect and bipolar transistor on SOI technologies

机译：SOI技术上的浮动衬底效应和双极晶体管引起的寄生瞬变
- 作者：Leroux C.;Gautier J.;Auberton-Herve A.J.;Giffard B.;Spalanzani M.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1991. ESSDERC '91》 | 1991年
6.Reduction of the Latch Effect in SOI MOSFETs by the Silicidation of the Source

机译：通过源极硅化减少SOI MOSFET中的闩锁效应
- 作者：McDaid L.J.;Hall S.;Eccleston W.;Alderman J.C.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1991. ESSDERC '91》 | 1991年
7.Manufacturability of 3D-Epitaxial-Lateral-Overgrowth CMOS Circuits with Three Stacked Channels

机译：具有三个堆叠通道的3D外延横向过度生长CMOS电路的可制造性
- 作者：Roos Gerhard;Hoefflinger Bernd;Schubert Martin;Zingg Rene
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1991. ESSDERC '91》 | 1991年
8.In situ pseudoÃÂÃÂ¿MOS transistor in as-grown silicon on insulator wafers

机译：在绝缘体晶片上成膜的硅中的原位拟ÃMOS MOS晶体管
- 作者：Williams S.;Cristoloveanu S.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1991. ESSDERC '91》 | 1991年
9.The 3-D IC with 4-layer Structure for the Fast Range Sensing System

机译：用于快速范围传感系统的具有4层结构的3-D IC
- 作者：Akasaka Y.;Inoue Y.;Nakaya M.;Nishimura T.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1991. ESSDERC '91》 | 1991年
10.4-Layer 3-D IC with a function of parallel signal processing

机译：具有并行信号处理功能的4层3-D IC
- 作者：Itoh Y.;Wada A.;Morimoto K.;Tomita Y.;Yamazaki K.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1991. ESSDERC '91》 | 1991年
11.9.5ÃÂÃÂ9.5mm²-Area Recrystallization, 6ÃÂÃÂ¿m-Viahole Filling and Thin 1/4ÃÂÃÂ¿m CMOS SOI Designing for Realizing Three-Dimensional Integrated Circuit

机译：9.5mm-9.5mm ^{2 区域重结晶，6μm的通孔填充和1 /4μm的薄CMOS SOI实现三维集成电路的设计}
- 作者：Onga S.;Kambayashi S.;Yoshimi M.;Natori K.;Kashiwagi M.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1991. ESSDERC '91》 | 1991年
12.Four-story Structured Character Recognition Sensor Image with 3D Integration

机译：具有3D集成的四层结构化字符识别传感器图像
- 作者：Ohtake Koui;Kioi Kazumasa;Shinozaki Toshiyuki;Toyoyama Shinji;Shirakawa Kazuhiko;Tsuchimoto Shuhei
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1991. ESSDERC '91》 | 1991年
13.Self-Aligned AlGaAs/GaAs HBT's with Tungsten N and P Type Ohmic Contacts

机译：具有钨N和P型欧姆接触的自对准AlGaAs / GaAs HBT
- 作者：Launay P.;Bamueni B.;Duchenois A.M.;Blanconnier P.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1991. ESSDERC '91》 | 1991年
14.Results of the three-dimensional integrated circuits project in Japan

机译：日本三维集成电路项目的成果
- 作者：Moriya Tetsuo;Watanabe Tsukasa;Nakano Isao;Maeda Shuku
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1991. ESSDERC '91》 | 1991年
15.Low stress Pd/Ge-based ohmic contacts for GaAs epitaxial-lift-off

机译：用于GaAs外延剥离的低应力Pd / Ge基欧姆接触
- 作者：Pollentier I.;Zhu Y.;De Meulemeester B.;Van Daele P.;Demeester P.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1991. ESSDERC '91》 | 1991年
16.Contact metallurgy optimization for ohmic contacts to InP

机译：用于InP欧姆接触的接触冶金优化
- 作者：Clausen Thomas;Pedersen Arne Skyggebjerg;Leistiko Otto
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1991. ESSDERC '91》 | 1991年
17.Epitaxial realignment of polycrystalline Si layers by rapid thermal annealing

机译：快速热退火法对多晶硅层进行外延取向
- 作者：Benyaich F.;Priolo F.;Rimini E.;Spinella C.;Ward P.;Baroetto F.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1991. ESSDERC '91》 | 1991年
18.Simulation and Experimental Study of Zn Outdiffusion During Epitaxial Growth of a Double Heterostructure Bipolar Transistor Structure

机译：双异质结构双极晶体管结构外延生长过程中锌扩散的模拟和实验研究
- 作者：Paraskevopoulos A.;Weber R.;Harde P.;Schroeter-JanBen H.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1991. ESSDERC '91》 | 1991年
19.Rapid thermal annealing of metastable and stable Si/Si1-xGex heterojunction bipolar transistors

机译：亚稳态稳定Si / Si 1-x Ge x 异质结双极晶体管的快速热退火
- 作者：Shafi Z.A.;Martin A.S.R.;Whitehurst J.;Ashburn P.;Godfrey D.J.;Gibbings C.J;Post I.R.C.;Tuppen C.G.;Booker G.R.;Jones M.E.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1991. ESSDERC '91》 | 1991年
20.MBE-grown (Ca, Sr) F2 layers on Si (111) and GaAs (111): Electronic structure of interfaces

机译：在Si（111）和GaAs（111）上MBE生长的（Ca，Sr）F 2 层：界面的电子结构
- 作者：Afanasev V.V.;Novikov S.V.;Sokolov N.S.;Yakovlev N.L.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1991. ESSDERC '91》 | 1991年
21.Charging properties of SIPOS used as a passivation layer on silicon

机译：SIPOS的充电特性用作硅上的钝化层
- 作者：Liss B;Lindgren A.;Engstrom O.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1991. ESSDERC '91》 | 1991年
22.Strain relaxation in GeSi layers with uniform and graded composition

机译：具有均匀且渐变成分的GeSi层中的应变松弛
- 作者：Jain S.C.;Balka P.;Goorsky M.S.;Iyer S.S.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1991. ESSDERC '91》 | 1991年
23.An Exponentially Ramped Current Stress Method Providing a Wide Range of Dielectric Parameters

机译：提供广泛介电参数的指数斜坡电流应力方法
- 作者：Ghezzi P.;Pio F.;Riva C.;Mathewson A.;Naughton F.;OSullivan P.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1991. ESSDERC '91》 | 1991年
24.C-V Profiling of Delta Layers in Silicon by Quantum and Classical Approaches

机译：量子和经典方法对硅中的Delta层进行C-V分析
- 作者：Wood A.C.G.;ONeill A.G.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1991. ESSDERC '91》 | 1991年
25.Dynamic laser beam testing of a n-MOS device

机译：n-MOS器件的动态激光束测试
- 作者：Bergner H.;Hempel K.;Krause A.;Stamm U.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1991. ESSDERC '91》 | 1991年
26.Effect of well and substrate parameters on the latchup degradation of CMOS structures during e-beam voltage contrast measurements

机译：电子束电压对比度测量期间阱和衬底参数对CMOS结构闩锁退化的影响
- 作者：Roche F. M.;Bocus S. D.;Girard P.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1991. ESSDERC '91》 | 1991年
27.Two DEG-base GaSb/InAs Hot Electron Transistors

机译：两个基于DEG的GaSb / InAs热电子晶体管
- 作者：Kawai H.;Funato K.;Taira K.;Nakamura F.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1991. ESSDERC '91》 | 1991年
28.Applications of Scanning Tunneling Microscopy to the Characterization of Semiconductor Technologies and Devices

机译：扫描隧道显微镜在半导体技术和器件表征中的应用
- 作者：Salemink H.;Albrektsen O.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1991. ESSDERC '91》 | 1991年
29.ESPRIT II Projects on Compound Semiconductors

机译：ESPRIT II关于化合物半导体的项目
- 作者：Mun J;Mbaye A
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1991. ESSDERC '91》 | 1991年
30.Results of the Superlattice Devices Project in Japan

机译：日本超晶格器件项目的成果
- 作者：Moriya Tetsuo;Ogasawara Kazuto;Maeda Shuku
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1991. ESSDERC '91》 | 1991年
31.Optimization of DMOS Cell Structures with a Self-Aligned Source Contact for Smart Power Applications by Realistic Numerical Device Simulation

机译：通过实际的数值设备仿真优化具有自对准源触点的DMOS单元结构，以用于智能电源应用
- 作者：Soppa W.;Kanert W.;Heift K.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1991. ESSDERC '91》 | 1991年
32.Physical Modeling of the Transit Time in Bipolar Transistors

机译：双极晶体管的传输时间的物理建模
- 作者：Weng J.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1991. ESSDERC '91》 | 1991年
33.Stripe Width Dependence of OED in Submicron LOCOS Structures - New boundary condition for self-interstitials

机译：亚微米LOCOS结构中OED的条纹宽度依赖性-自填隙的新边界条件
- 作者：Shibata Y.;Hashimoto S.;Taniguchi K.;Hamaguchi C.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1991. ESSDERC '91》 | 1991年
34.Modeling of VIPMOS Hot Electron Gate Currents

机译：VIPMOS热电子门电流建模
- 作者：Hemink G.J.;Wijburg R.C.M.;Wolbert P.B.M.;Wallinga H.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1991. ESSDERC '91》 | 1991年
35.Monte-Carlo - Poisson Coupling Using Transport Coefficients

机译：蒙特卡洛-使用运输系数的泊松耦合
- 作者：Kosina H.;Lindorfer Ph.;Selberherr S.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1991. ESSDERC '91》 | 1991年
36.Calculation of Internal Gettering Sites after Double-Step and CMOS-Type Thermal Anneals

机译：双步骤和CMOS型热退火后内部吸气部位的计算
- 作者：Schrems M.;Hobler G.;Budil M.;Potzl H.;Hage J.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1991. ESSDERC '91》 | 1991年
37.Nonstationary Electron Transport in Realistic Submicron BP-SAINT GaAs MESFETs Evaluated by Ensemble Monte Carlo Simulation

机译：整体蒙特卡洛模拟评估的逼真的亚微米BP-SAINT GaAs MESFET中的非平稳电子输运
- 作者：Yamada Y.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1991. ESSDERC '91》 | 1991年
38.Monte Carlo studies on hole mobility in heavily doped n-type Silicon

机译：蒙特卡洛研究重掺杂n型硅中的空穴迁移率
- 作者：Pan Y.;Kleefstra M.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1991. ESSDERC '91》 | 1991年
39.Integrated Si/CoSi2/Si-Heterotransistors at High Current Densities

机译：高电流密度的集成Si / CoSi 2 / Si-异质晶体管
- 作者：Uffmann D.;Adamski C.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1991. ESSDERC '91》 | 1991年
40.Impact ionization effects in silicon vertical JFET's

机译：硅垂直JFET中的碰撞电离效应
- 作者：Chantre A.;Granier A.;Degors N.;Nouailhat A.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1991. ESSDERC '91》 | 1991年
41.Silicon etched-groove permeable base transistor fabrication with cutoff frequencies (fT, fmax) above 25 GHz

机译：截止频率（f T ，f max ）高于25 GHz的硅蚀刻沟槽可渗透基极晶体管制造
- 作者：Gruhle A.;Badoz P.A.;Chevalier F.;Halimaoui A.;Lalanne F.;Mouis M.;Regolini J.L.;Vincent G.;Bensahel D.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1991. ESSDERC '91》 | 1991年
42.Numerical Study of a Silicon Permeable Base Transistor with a Non-Uniform Doping Profile

机译：具有非均匀掺杂分布的可渗透硅基晶体管的数值研究
- 作者：Mouis M.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1991. ESSDERC '91》 | 1991年
43.Low frequency noise in quantum-well GexSi1-x PMOSFET's

机译：量子阱Ge x Si 1-x PMOSFET的低频噪声
- 作者：Chang J.;Nayak D.K.;Raman V.K.;Woo J.C.S.;Park J.S.;Wang K.L.;Viswanathan C.R.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1991. ESSDERC '91》 | 1991年
44.Measurements of Avalanche Effects and Light Emission in Advanced Si and SiGe Bipolar Transistors

机译：测量先进的Si和SiGe双极晶体管中的雪崩效应和发光
- 作者：Zanoni Enrico;Bigliardi Stefano;Pavan Paolo;Pisoni Pietro;Canali Claudio
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1991. ESSDERC '91》 | 1991年
45.Device Design Issues for a High-Performance Bipolar Technology with Si or SiGe Epitaxial Base

机译：具有Si或SiGe外延基极的高性能双极技术的器件设计问题
- 作者：Burghartz J. N.;Cressler J. D.;Jenkins K. A.;Sun J. Y.-C.;Stork J. M. C.;Comfort J. H.;Brunner T. A.;Stanis C. L.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1991. ESSDERC '91》 | 1991年
46.Graded-bandgap SiGe Bipolar Transistor Fabricated with Germanium Ion Implantation

机译：锗离子注入制备的带隙梯度SiGe双极晶体管
- 作者：Fukami Akira;Shoji Ken-ichi;Nagano Takahiro;Tokuyama Takashi;Yang Cary Y.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1991. ESSDERC '91》 | 1991年
47.Recent Progress in Silicon Homo- and Heterojunction Bipolar Technology

机译：硅均质和异质结双极技术的最新进展
- 作者：Treitinger L.
- 会议名称：《Solid State Device Research Conference, 1991. ESSDERC '91》 | 1991年