CMOS integrated circuits; X-ray apparatus; X-ray detection; application specific integrated circuits; position sensitive particle detectors; preamplifiers; silicon radiation detectors; ASIC; CMOS circuits; X-ray detection; carrier motion; electron mobility; hole mob;
机译:尾态联合密度法研究氢化非晶碳化硅薄膜的室温光致发光光谱及其在等离子体沉积氢化非晶碳化硅薄膜中的应用
机译:氢化非晶硅薄膜晶体管基光学像素传感器的三种原色光学性质
机译:在环境照明下具有高灵敏度的氢化非晶硅薄膜晶体管光学像素传感器
机译:基于薄膜的ASIC技术氢化非晶硅传感器
机译:氢化非晶硅,微晶硅和硅基合金薄膜的沉积和表征。
机译:通过快速热退火工艺增强氢化非晶碳化硅薄膜的光致发光
机译:基于薄膜的ASIC技术氢化非晶硅传感器
机译:添加到阅览室阅读软件下载与<<辉光放电分解制备离子镀和氢化非晶硼薄膜制备氢化非晶硅薄膜及其表征>>相似的文献。最终报告,1980年4月1日至1981年5月31日