基于柔性衬底的非晶硅（a-Si）薄膜晶体管（TFT）制备技术的研究

摘要

柔性基板上制作薄膜晶体管(TFT)是实现柔性功能器件例如高清晰柔性显示器的关键。本论文探索柔性TFT器件制备技术，目标是发展柔性薄膜晶体管技术，为研制具有自主知识产权的新型柔性功能器件提供技术支撑。 论文从TFT器件结构设计出发，以测试结构为起点，在塑料柔性衬底上开展金属电极、绝缘薄膜制备技术的研究，确定制备工艺参数。然后进入单个a-SiTFT器件结构的制作和20×20TFT阵列结构的制作，并对制备的器件性能进行表征，实现了具有如下特性的TFT器件：开关电流比约为10<'3>，电场迁移率为0.13cm<'2>/v·s，阀值电压低于15 V，电极金属的电阻率约为12 Ω/□，绝缘层的耐压为5 MV/cm。

目录

文摘

英文文摘

导论

第一章TFT器件技术基本知识

1.1 TFT结构与原理

1.2 TFT制备工艺流程

第二章TFT器件结构设计

2.1单个TFT结构的设计

2.2 TFT阵列结构的设计

2.3测试结构的设计

2.4掩膜版的设计与制作

2.5阵列工作性能的分析

第三章TFT器件制备工艺技术的研究

3.1 TFT制备过程中的基本工艺

3.2结构层制备和特性研究

3.3 a-Si TFT制备工艺流程

第四章TFT工作参数的测试

4.1测量的参数和设备

4.2测量的结果及其分析

第五章论文结论

参考文献

原创性声明

致谢