power semiconductor devices; semiconductor device models; semiconductor device breakdown; semiconductor device reliability; leakage currents; avalanche breakdown; breakdown voltage; four-layer punch-through TVS diodes; quasi-analytical model; Gaussian epitaxial profile; geometrical device parameters; technological device parameters; avalanche breakdown; breakdown voltages; existent three-layer structure model; 3 V;
机译:四层穿通TVS器件的准分析击穿电压模型
机译:横向穿通TVS器件可在低压应用中提供片上保护
机译:关于“平行面结的穿通极限击穿电压的闭合形式表示”的评论
机译:通过电视二极管的四层击穿电压的转型
机译:低压断路器中零电流后绝缘击穿的数值模型。
机译:关于碳掺杂GaN中供体/受体补偿比的建模在横向GaN功率Hemts中的单一再现击穿电压和电流塌陷
机译:使用高斯型材的3C-SiC肖特基势垒二极管在200μm厚晶片中分析了3C-SiC肖特基势垒二极管的冲击式击穿电压
机译:低压(< 250 V)4H-siC pn结二极管中体积和基本螺旋位错辅助反向击穿的研究 - 第1部分:直流特性