MOSFET; interface states; leakage currents; silicon; elemental semiconductors; silicon compounds; MOSFET interface degradation; MOSFET oxide thickness; low field electrical stress; charge pumping technique; interface trap density; trap cross section; str;
机译:基于应力诱导的氧化物电容改变,确定不同电应力水平下功率MOSFET栅极氧化物劣化的确定
机译:通过远程等离子体增强CVD和沉积后快速热退火制备的具有氮化的Si-SiO / sub 2 /界面的超薄氮化硅/氧化物堆叠栅极电介质的PMOSFET的性能和可靠性
机译:等离子体后氧化法制备具有GeO x sub> / Ge MOS接口的Ge p-和n-MOSFET高正场迁移率的物理原因
机译:低场电应力下1-2纳米范围中的氧化物中的Si-SiO / Sub 2 /界面的脱落
机译:电应力源对功率MOSFET降解过程影响的建模
机译:利用1-2 kHz范围内的低频电磁场对酿酒酵母的生长动力学进行修改
机译:伽马辐射和电应力的比较影响功率VDmOsFET中的氧化物和界面缺陷
机译:比较热载流子引起具有H或D钝化界面的0.25(微米)mOsFET中的退化