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European Solid-State Device Research Conference
European Solid-State Device Research Conference
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1.
Selective SiGeC Epitaxy by RTCVD for High Performance Self-Aligned HBT
机译:
通过RTCVD选择性SIGEC外延,用于高性能自对准的HBT
作者:
C. Fellous
;
F. Deleglise
;
A. Talbot
;
D. Dutartre
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
2.
A FLASH Technology Programmable Nonvolatile Switch
机译:
闪光技术可编程非易失性开关
作者:
C.Auricchio
;
M.Borgatti
;
A.Martino
;
A.Maurelli
;
R.Pelliconi
;
P.L.Rolandi
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
3.
Self-aligned 0.12μm T-gate In_(.53)Ga_(.47)As/In_(.52)Al_(.48)As HEMT technology utilising a non-annealed ohmic contact strategy
机译:
在_(。53)Ga _(.47)中自对准0.12μmt栅极AS / IN _(。52)AL _(.48)作为利用非退火的欧姆接触策略的HEMT技术
作者:
D. A.J. Moran
;
K. Kalna
;
E. Boyd
;
F. McEwan
;
H. McLelland
;
L. L. Zhuang
;
C.R.Stanley
;
A. Asenov
;
I. Thayne
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
4.
Degradation of Low Frequency Noise and DC characteristics on MOSFETs and its correlation with SILC
机译:
MOSFET上低频噪声和直流特性的降解及其与硅胶的相关性
作者:
L. Bandiera
;
A. Cester
;
S. Cimino
;
S. Gerardin
;
A. Paccagnella
;
G. Ghidini
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
5.
MC Simulation of Strained Si/SiGe Devices
机译:
紧张Si / SiGe器件的MC模拟
作者:
C. Jungemann
;
B. Meinerzhagen
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
6.
MIS Capacitor Radiation Sensor with Giant Internal Signal Amplification on a Base of UHR Epi Silicon
机译:
MIS电容辐射传感器,具有巨大内部信号放大的UHR EPI硅基底
作者:
Alexander Malik
;
Volodymyr Grimalsky
;
Mark C. Tsou
;
Daniel Durini
;
Chi-Tang Lo
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
7.
Optimisation of Channel Thickness in Strained Si/SiGe MOSFETs
机译:
应变Si / SiGE MOSFET中沟道厚度的优化
作者:
K. S. K. Kwa
;
S. Chattopadhyay
;
S. H. Olsen
;
L. S. Driscoll
;
A. G. ONeill
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
8.
Atomic-scale Modeling of Source-to-Drain Tunneling in Ultimate Schottky Barrier Double-Gate MOSFET's
机译:
终极肖特基屏障双门MOSFET源 - 排水隧道原子尺度建模
作者:
M. Bescond
;
J.L. Autran
;
D. Munteanu
;
N. Cavassilas
;
M. Lannoo
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
9.
Trench Sidewall Doping
机译:
沟槽侧壁掺杂
作者:
S. E. Berberich
;
A. J. Bauer
;
L. Frey
;
H. Ryssel
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
10.
180 GHz f/sub T/ and f/sub max/ self-aligned SiGeC HBT using selective epitaxial growth of the base
机译:
180 GHz F / SUB T /和F / SUB MAX /自对准SIGEC HBT使用基座的选择性外延生长
作者:
Chevalier P.
;
Fellous C.
;
Martinet B.
;
Leverd F.
;
Saguin F.
;
Dutartre D.
;
Chantre A.
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
关键词:
heterojunction bipolar transistors;
silicon compounds;
germanium compounds;
wide band gap semiconductors;
epitaxial growth;
optimisation;
design of experiments;
millimetre wave bipolar transistors;
self-aligned HBT;
base selective epitaxial growth;
devic;
11.
Retention time of novel charge trapping memories using Al_2O_3 dielectrics
机译:
使用AL_2O_3电介质的新型电荷捕获存储器的保留时间
作者:
M. Specht
;
H. Reisinger
;
M. Staedele
;
F. Hofmann
;
A. Gschwandtner
;
E. Landgraf
;
R.J.Luyken
;
T.Schulz
;
J.Hartwich
;
L.Dreeskornfeld
;
W.Roesner
;
J.Kretz
;
L.Risch
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
12.
180 GHz f{sub}T f{sub}(max) self-aligned SiGeC HBT using selective epitaxial growth of the base
机译:
180 GHz f {sub} t f {sub}(max)自对准SIGEC HBT使用基座的选择性外延生长
作者:
P. Chevalier
;
C. Fellous
;
B. Martinet
;
F. Leverd
;
F. Saguin
;
D. Dutartre
;
A. Chantre
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
13.
On the investigation of spiral inductors processed on Si substrates with thick porous Si layers
机译:
厚多孔Si层对Si基材加工螺旋电感的研究
作者:
A.S.Royet
;
R.Cuchet
;
D.Pellissier
;
P.Ancey
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
14.
Gate isolation technology for compact poly-CMP embedded flash memories
机译:
紧凑型多CMP嵌入式闪存的栅极隔离技术
作者:
M. Slotboom
;
P. Goarin
;
N. Akil
;
M. van Duuren
;
M. Demand
;
J.M.D. Wouters
;
S. Beckx
;
P. Leray
;
C. Baerts
;
N. Heylen
;
I. Pollentier
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
15.
Impact of gate current noise on drain current noise in 90 nm CMOS technology
机译:
栅极电流噪声对90nm CMOS技术漏极电流噪声的影响
作者:
M. Valenza
;
A. Laigle
;
F. Martinez
;
A. Hoffmann
;
D. Rigaud
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
16.
Simulation of Carrier Transport in Carbon Nanotube Field Effect Transistors
机译:
碳纳米管场效应晶体管中载波运输的仿真
作者:
Enzo Ungersboeck
;
Andreas Gehring
;
Hans Kosina
;
Siegfried Selberherr
;
Byoung-Ho Cheong
;
Won Bong Choi
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
17.
Design of High-Voltage devices in a fully implanted twin-well CMOS process
机译:
完全植入双孔CMOS工艺中的高压装置设计
作者:
P. M. Santos
;
H. Quaresma
;
A. P. Silva
;
M. Lanca
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
18.
Investigation of Poly-Si/HfO_2 gate stacks in a self-aligned 70nm MOS process flow
机译:
自对准70nm MOS流程中的多Si / HFO_2栅极堆栈的研究
作者:
S. Kubicek
;
J.Chen
;
L-A. Ragnarsson
;
R.J. Carter
;
V. Kaushik
;
G.S. Lujan
;
E. Cartier
;
W.K. Henson
;
A. Kerber
;
L. Pantisano
;
S. Beckx
;
P. Jaenen
;
W.Boullart
;
M.Caymax
;
S. DeGendt
;
M. Heyns
;
K. De Meyer
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
19.
Hot-carrier luminescence: comparison of different CMOS technologies
机译:
热载体发光:不同CMOS技术的比较
作者:
Alberto Tosi
;
Franco Stellari
;
Franco Zappa
;
Sergio Cova
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
20.
DNA Electrical Detection Based on Inductor Resonance Frequency in Standard CMOS Technology
机译:
基于电感谐振频率的DNA电检测标准CMOS技术
作者:
G. Laurent
;
L.M. Hagelsieb
;
D. Lederer
;
P.E. Lobert
;
D. Flandre
;
J. Remade
;
J.P. Raskin
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
21.
Integrating 'atomistic', intrinsic parameter fluctuations into compact model circuit analysis
机译:
将“原子态”,内在参数波动集成到紧凑模型电路分析中
作者:
B. J. Cheng
;
S. Roy
;
G. Roy
;
A. Asenov
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
22.
Modelling and Simulating the Selective Epitaxial Growth of Silicon under Consideration of Anisotropic Growth Rates
机译:
考虑各向异性生长率的建模与模拟硅的选择性外延生长
作者:
Rainer G. Spallek
;
Dietmar Temmler
;
Thomas Preusser
;
Torsten Roensch
;
Stefan Ulbrich
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
23.
SiGe Channel p-MOSFETs Scaling-Down
机译:
SiGe通道P-MOSFET缩放
作者:
F. Andrieu
;
T. Ernst
;
K. Romanjek
;
O. Weber
;
C. Renard
;
J. -M. Hartmann
;
A. Toffoli
;
A. -M. Papon
;
R. Truche
;
P. Holliger
;
L. Brevard
;
G. Ghibaudo
;
S. Deleonibus
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
24.
Deep Trench Isolation for a 50V 0.35 μm Based Smart Power Technology
机译:
基于50V0.35μm的智能电力技术的深度沟槽隔离
作者:
F. De Pestel
;
P. Coppens
;
H. De Vleeschouwer
;
P. Colson
;
S. Boonen
;
T. Colpaert
;
P. Moens
;
D. Bolognesi
;
G. Coudenys
;
M. Tack
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
25.
Snapback circuit model for cascoded NMOS ESD over-voltage protection structures
机译:
用于级联NMOS ESD过压保护结构的循环回路模型
作者:
V.Vassilev
;
M.Lorenzini
;
Ph.Jansen
;
V.Vashchenko
;
J.-J.Yang
;
A.Concannon
;
D.Archer
;
G.Groeseneken
;
M.I.Natarajan
;
M.Terbeek
;
S.Thijs
;
B.-J. Choi
;
M.Steyaert
;
H.E.Maes
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
26.
A Simple Method for Automated Extraction of BJT Thermal Resistance from Early Voltage Measurements
机译:
一种简单的方法,用于自动提取早期电压测量的BJT热阻
作者:
Alexei Sadovnikov
;
Tracey Krakowski
;
Wendy Greig
;
Mingwei Xu
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
27.
Degradation of the Si-SiO/sub 2/ interface in MOSFETs with oxides in the 1-2 nanometer range under low field electrical stress
机译:
低场电应力下1-2纳米范围中的氧化物中的Si-SiO / Sub 2 /界面的脱落
作者:
Rahmoune F.
;
Bauza D.
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
关键词:
MOSFET;
interface states;
leakage currents;
silicon;
elemental semiconductors;
silicon compounds;
MOSFET interface degradation;
MOSFET oxide thickness;
low field electrical stress;
charge pumping technique;
interface trap density;
trap cross section;
str;
28.
Carrier Quantization in SOI MOSFETs using an Effective Potential Based Monte-Carlo Tool
机译:
使用有效潜在的蒙特卡罗工具在SOI MOSFET中的载波量化
作者:
P. Palestri
;
D. Esseni
;
A. Abramo
;
R. Clerc
;
L. Selmi
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
29.
Polymer Light-Emitting Diodes Based on a Soluble Poly(p-phenylene vinylene) with Interfaces Modified by Self-Assembly
机译:
基于可溶性聚(对亚苯基乙烯烯)的聚合物发光二极管,通过自组装改性界面
作者:
Jorge Morgado
;
Ana Charas
;
Nunzio Barbagallo
;
Luis Alcacer
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
30.
Ti-Si-Ge Formation on the Extrinsic Base of SiGe Heterojunction Bipolar Transistors
机译:
Ti-Si-GE在SiGe异质结双极晶体管的外部基础上形成
作者:
Seung-Yun Lee
;
Chan Woo Park
;
Hong-Seung Kim
;
Jin-Yoeng Kang
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
31.
Temperature Operation of FDSOI Devices with Metal Gate (TaSiN) and High-k Dielectric
机译:
具有金属栅极(Tasin)和高k电介质的FDSOI器件的温度操作
作者:
J. Pretet
;
A. Vandooren
;
S. Cristoloveanu
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
32.
180 GHz f_T and f_(max) self-aligned SiGeC HBT using selective epitaxial growth of the base
机译:
180 GHz F_T和F_(MAX)自对齐SIGEC HBT使用基座的选择性外延生长
作者:
P. Chevalier
;
C. Fellous
;
B. Martinet
;
F. Leverd
;
F. Saguin
;
D. Dutartre
;
A. Chantre
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
33.
Modelling of the Programming Window Distribution in Multi Nanocrystals Memories
机译:
多纳米晶体回忆中的编程窗口分布的建模
作者:
L.Perniola
;
B.De Salvo
;
G.Ghibaudo
;
G.Pananakakis
;
Foglio Para
;
V.Vidal
;
T.Baron
;
S.Lombardo
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
34.
Silicon clean impact on 90nm CMOS devices performance
机译:
硅清洁冲击90nm CMOS器件性能
作者:
J-P. Carrere
;
H. Bernard
;
S. Petitdidier
;
A. Beverina
;
J. Rosa
;
F. Guyader
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
35.
Multi-Bias Dependence of Threshold Voltage, Subthreshold Swing, and Mobility in G~4-FETs
机译:
阈值电压,亚阈值摆动和G〜4 - FET的移动性多偏置依赖性
作者:
K. Akarvardar
;
B. Dufrene
;
S. Cristoloveanu
;
B. J. Blalock
;
T. Higashino
;
M. M. Mojarradi
;
E. Kolawa
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
36.
Effects of gas phase absorption into Si substrates on plasma doping process
机译:
气相吸收对等离子掺杂过程中Si基材的影响
作者:
Ryota Higaki
;
Kazuo Tsutsui
;
Yuichiro Sasaki
;
Sadahiro Akama
;
Bunji Mizuno
;
Shunichiro Ohmi
;
Hiroshi Iwai
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
37.
Remote surface roughness scattering in ultrathin-oxide MOSFETs
机译:
超薄氧化物MOSFET中的远程表面粗糙度散射
作者:
F.Gamiz
;
A.Godoy
;
F.Jimenez-Molinos
;
P.Cartujo-Cassinello
;
J.B.Roldan
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
38.
Deep trench isolation for 600V SOI power devices
机译:
600V SOI电源设备的深沟隔离
作者:
L. Clavelier
;
B. Charlet
;
B. Giffard
;
M. Roy
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
39.
Improvement of Data Retention Time using DRAM cell with Metallic Shield Embedded (MSE)-STI for 90nm Technology Node and beyond
机译:
使用DRAM单元用金属屏蔽嵌入式(MSE)-STI进行数据保留时间的改进,用于90nm技术节点及更远
作者:
S.H.Lee
;
S.H.Hong
;
J.H.Oh
;
Y.K.Choi
;
D.I.Bae
;
S.H.Park
;
B.H.Roh
;
T.Y.Chung
;
Kinam Kim
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
40.
C-V Characterization of MOS Capacitors on High Resistivity Silicon Substrate
机译:
高电阻率硅衬底上MOS电容器的C-V表征
作者:
B. Rong
;
L. K. Nanver
;
J. N. Burghartz
;
A. B. M. Jansman
;
A.G. R. Evans
;
B. S. Rejaei
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
41.
p-Si{sub}(0.3)Ge{sub}(0.7) and p-Sil{sub}(0.2)Ge{sub}(0.8) MOSFETs of enhanced performance
机译:
p-si {sub}(0.3)ge {sub}(0.7)和p-sil {sub}(0.2)Ge {sub}(0.8)MOSFET的增强性能
作者:
O. A. Mironov
;
M. Myronov
;
S. Durov
;
D. R. Leadley
;
T. Hackbarth
;
G. Hock
;
H.-J. Herzog
;
U. Konig
;
H. von Kanel
;
E. H. C. Parker
;
I. E. Whall
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
42.
Degradation of the Si-SiO_2 Interface in MOSFET's with Oxides in the 1-2 Nanometer Range Under Low Field Electrical Stress
机译:
低场电应力下1-2纳米范围内MOSFET中Si-SiO_2接口的脱落
作者:
F. Rahmoune
;
D. Bauza
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
43.
Coherent Interconnect/Substrate Modeling Using SPACE - An Experimental Study
机译:
使用空间相干互连/基板建模 - 实验研究
作者:
E. Schrik
;
A.J. van Genderen
;
N.P. van der Meijs
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
44.
Elimination of accumulation charge effects for High-Resistive Silicon Substrates
机译:
消除高电阻硅基材的累积电荷效应
作者:
A.B.M. Jansman
;
J.T.M. van Beek
;
M.H.W.M. van Delden
;
A.L.A.M. Kemmeren
;
A. den Dekker
;
F.P. Widdershoven
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
45.
Evaluation of ZrO{sub}2 Gate Dielectrics for Advanced CMOS Devices
机译:
高级CMOS器件ZrO {Sub} 2栅极电介质的评估
作者:
Andreas Gehring
;
Stefan Harasek
;
Emmerich Bertagnolli
;
Siegfried Selberherr
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
46.
Improved Vt and Ioff Characteristics of NMOS Transistors Featuring Ultra-Shallow Junctions Obtained by Plasma Doping (PLAD)
机译:
改进了通过等离子体掺杂(PLAD)获得的超浅结的NMOS晶体管的VT和IOFF特性
作者:
A. Pouydebasque
;
M. Mueller
;
F. Boeuf
;
D. Lenoble
;
F. Lallement
;
A. Grouillet
;
A. Halimaoui
;
R. El Farhane
;
D. Delille
;
T. Skotnicki
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
47.
Technology aspects of a CMOS Neuro-Sensor: Back End Process and Packaging
机译:
CMOS神经传感器的技术方面:后端过程和包装
作者:
Franz Hofmann
;
Bjoern Eversmann
;
Martin Jenkner
;
Alexander Frey
;
Matthias Merz
;
Tamara Birkenmaier
;
Peter Fromherz
;
Matthias Schreiter
;
Reinhard Gabl
;
Kurt Plehnert
;
Michael Steinhauser
;
Gerald Eckstein
;
Roland Thewes
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
48.
One Time Programming (OTP) with Zener Diodes in CMOS Processes
机译:
一个时间编程(OTP)在CMOS过程中具有齐纳二极管
作者:
J.Teichmann
;
K.Burger
;
W.Hasche
;
J.Herrfurth
;
G.Taeschner
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
49.
Analysis of Improved DC and AC Performances of an InGaP/GaAs Heterojunction Bipolar Transistor with a Graded Al_xGa_(1-x)As Layer at Emitter/Base Heterojunction
机译:
分析InGaP / GaAs异质结双极晶体管的改进直流和AC性能,具有渐变的AL_XGA_(1-X)作为发射器/基础异质结的层
作者:
Shiou-Ying Cheng
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
50.
Effects of Gate-Currents on CMOS Circuit Behaviour
机译:
栅极电流对CMOS电路行为的影响
作者:
Alessandro Marras
;
Ilaria De Munari
;
Davide Vescovi
;
Paolo Ciampolini
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
51.
Degradation of the Si-SiO{sub}2 Interface in MOSFET's with Oxides in the 1-2 Nanometer Range Under Low Field Electrical Stress
机译:
低场电应力下1-2纳米范围中的MOSFET中的Si-SiO {Sub} 2界面的脱落
作者:
F. Rahmoune
;
D. Bauza
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
52.
Experimental verification of SRAM cell functionality after hard and soft gate oxide breakdowns
机译:
硬栅极氧化术后SRAM细胞功能的实验验证
作者:
B. Kaczer
;
R. Degraeve
;
E. Augendre
;
M. Jurczak
;
G. Groeseneken
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
53.
Experimental investigation of the impact of line-edge roughness on MOSFET performance and yield
机译:
线边缘粗糙度对MOSFET性能和产量影响的实验研究
作者:
J.A. Croon
;
L.H.A. Leunissen
;
M. Jurczak
;
M. Benndorf
;
R. Rooyackers
;
K. Ronse
;
S. Decoutere
;
W. Sansen
;
H.E. Maes
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
54.
Current crowding effects in SOI-SiGe HBT's with low doped emitters
机译:
目前在SOI-SiGe HBT的挤压效应与低掺杂发射器
作者:
S. Hall
;
O. Buiu
;
A.C. Lamb
;
H.A.W.El Mubarek
;
P.Ashburn
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
55.
Interface coupling and film thickness measurement on thin oxide thin film folly depleted SOI MOSFETs
机译:
薄膜薄膜叶面耗尽SOI MOSFET上的界面耦合和膜厚度测量
作者:
M. Casse
;
T.Poiroux
;
O. Faynot
;
C. Raynaud
;
C. Tabone
;
F. Allain
;
G. Reimbold
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
56.
Simulation of Thermal Oxidation: A Three-Dimensional Finite Element Approach
机译:
热氧化的仿真:一种三维有限元方法
作者:
Christian Hollauer
;
Hajdin Ceric
;
Siegfried Selberherr
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
57.
Evaluation of ZrO/sub 2/ gate dielectrics for advanced CMOS devices
机译:
评估高级CMOS器件的Zro / Sub 2 /栅极电介质
作者:
Gehring A.
;
Harasek S.
;
Bertagnolli E.
;
Selberherr S.
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
关键词:
MOSFET;
dielectric thin films;
semiconductor device measurement;
semiconductor device models;
zirconium compounds;
MOCVD coatings;
tunnelling;
interface states;
conduction bands;
high-k gate dielectrics;
CMOS devices;
metal-organic chemical vapor deposit;
58.
High-voltage devices (600 V) produced with a low-voltage (150 V) smart-power IC-technology
机译:
用低压(> 150V)智能电力IC技术生产的高压装置(<600 V)生产
作者:
Rotter T.
;
Stoisiek M.
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
关键词:
power semiconductor devices;
power semiconductor diodes;
semiconductor device breakdown;
doping profiles;
low voltage smart-power IC-technology;
high voltage devices;
process blocking capability;
vertical direction high voltage supply;
lateral direction;
59.
Optimization of Electrothermal Material Parameters using Inverse Modeling
机译:
逆建模优化电热材料参数
作者:
Rainer Minixhofer
;
Stefan Holzer
;
Clemens Heitzinger
;
Johannes Fellner
;
Tibor Grasser
;
Siegfried Selberherr
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
60.
45nm Gate Length Bulk/PD-SOI CMOS Transistors with Low Gate Leakage Current for High Speed and Low Power Applications
机译:
45nm栅极长度散装/ PD-SOI CMOS晶体管,具有低栅极漏电流,用于高速和低功耗应用
作者:
C. K. Yang
;
T. F. Chen
;
C. S. Liang
;
T. J. Chen
;
T. C. Chang
;
L. W. Cheng
;
H. S. Lin
;
G. Li
;
D. Y. Wu
;
J. K. Chen
;
S. C. Chien
;
S. W. Sun
;
J. Cheek
;
M. Michael
;
D. Wu
;
P. Fisher
;
D. Wristers
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
61.
Investigation of electron and hole mobilities in MOSFETs with TiN/HfO2/SiO2 gate stack
机译:
用锡/ HFO2 / SiO2栅极堆叠的MOSFET中电子和孔散流研究
作者:
F. Lime
;
G. Ghibaudo
;
B. Guillaumot
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
62.
Borderless nitride requirements for embedded non-volatile deep sub-micron technologies
机译:
嵌入式非易失性深亚微米技术无边框氮化物要求
作者:
A.Cacciato
;
A. Scarpa
;
M. Diekema
;
G. van de Ven
;
L. van Marwijk
;
Do Dormam
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
63.
Electrical Characteristics of Single, Double Surround Gate Vertical MOSFETs with Reduced Overlap Capacitance
机译:
单,双和环绕栅垂直MOSFET的电气特性,具有减少的重叠电容
作者:
E.Gili
;
V.D.Kunz
;
C.H.de Groot
;
T.Uchino
;
D.Donaghy
;
S.Hall
;
P.Ashburn
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
64.
Anomalous substrate substrate current in polycrystalline silicon thin-film transistors
机译:
多晶硅薄膜晶体管中的异常基板基板电流
作者:
Hsiao Wen Zan
;
Shih Ching Chen
;
Sheng Hsuan Wang
;
Chun Yen Chang
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
65.
P-Si/sub 0.3/Ge/sub 0.7/and p-Si/sub 0.2/Ge/sub 0.8/ MOSFETs of enhanced performance
机译:
P-SI / SUB 0.3 / GE / SUB 0.7 /和P-SI / SUB 0.2 / GE / SUB 0.8 / MOSFET的增强性能
作者:
Mironov O.A.
;
Myronov M.
;
Durov S.
;
Leadley D.R.
;
Hackbarth T.
;
Hock G.
;
Herzog H.-J.
;
Konig U.
;
von Kanel H.
;
Parker E.H.C.
;
Whall T.E.
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
关键词:
MOSFET;
hole mobility;
Ge-Si alloys;
semiconductor materials;
antimony;
metamorphic MOSFET;
hole mobility;
MOSFET drive current;
effective channel length;
knee voltage;
drain induced barrier lowering;
subthreshold swing;
off current;
punch-through stoppe;
66.
Trench Sidewall Doping for Lateral Power Devices
机译:
沟槽侧壁掺杂侧向动力装置
作者:
S. E. Berberich
;
A. J. Bauer
;
L. Frey
;
H. Ryssel
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
67.
High-Voltage Devices (>600 V) Produced with a Low-Voltage (<150 V) Smart-Power IC-Technology
机译:
用低压(<150 V)智能电源IC技术生产的高压装置(> 600V)
作者:
Thomas Rotter
;
Michael Stoisiek
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
68.
ALD metal-gate/high-/spl kappa/ gate stack for Si and Si/sub 0.7/Ge/sub 0.3/ surface-channel pMOSFETs
机译:
用于SI和SI / SUB 0.7 / GE / SUB 0.3 /表面通道PMOSFET的ALD金属栅/高/ SPL kappa /栅极堆叠
作者:
Wu D.
;
Persson S.
;
Lindgren A.-C.
;
Sjoblom G.
;
Hellstrom P.-E.
;
Olsson J.
;
Zhang S.-L.
;
Ostling M.
;
Vainonen-Ahlgren E.
;
Tois E.
;
Li W.-M.
;
Tuominen M.
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
关键词:
MOSFET;
dielectric thin films;
atomic layer deposition;
interface states;
hole mobility;
silicon;
elemental semiconductors;
Ge-Si alloys;
semiconductor materials;
titanium compounds;
hafnium compounds;
aluminium compounds;
metal-gate/high-k gate stack;
s;
69.
The effect of copper design rules on inductor performance
机译:
铜设计规则对电感性能的影响
作者:
C. Detcheverry
;
W. van Noort
;
R. Hoofman
;
L. Tiemeijer
;
V. H. Nguyen
;
G. Verheyden
;
P. Bancken
;
R. Daamen
;
R. Havens
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
70.
Resonant Tunneling Devices on Si(111) Substrates Using Fluoride Alloy Heterostructures
机译:
使用氟合金异质结构的Si(111)衬底上的共振隧道装置
作者:
Motoki MAEDA
;
So WATANABE
;
Kazuo TSUTSUI
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
71.
Parasitic Capacitance Modeling for TFT Liquid Crystal Displays
机译:
TFT液晶显示器的寄生电容建模
作者:
Yoshihiro UCHIDA
;
Sadahiro TANI
;
Shuji TSUKIYAMA
;
Isao SHIRAKAWA
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
72.
SETMOS-A High Current Coulomb Blockade Oscillation Device
机译:
Setmos-A高电流库仑封锁振荡设备
作者:
Santanu Mahapatra
;
Vincent Pott
;
Adrian Mihai Ionescu
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
73.
Overview of Luminescence from MOS Tunnel Devices
机译:
来自MOS隧道设备的发光概述
作者:
N. Asli
;
A. F. Shulekin
;
P. D. Yoder
;
M. I. Vexler
;
I. V. Grekhov
;
P. Seegebrecht
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
74.
New junction concepts for sub-50nm CMOS transistors: slim spacers and Ni silicide
机译:
Sub-50nm CMOS晶体管的新结概念:纤薄的间隔和Ni硅化物
作者:
M. Mueller
;
B. Froment
;
V. Carron
;
A. Beverina
;
R. Palla
;
R. Pantel
;
P. Morin
;
C. Charbuillet
;
A. Pouydebasque
;
F. Boeuf
;
T. Skotnicki
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
75.
High performance 50 nm T-gate In/sub 0.52/Al/sub 0.48/As/In/sub 0.53/Ga/sub 0.47/As metamorphic high electron mobility transistors
机译:
高性能50nm T栅极/亚/亚/ al /亚0.48 / AS / IN / SUN 0.53 / GA / SUB 0.47 /作为变质高电子迁移率晶体管
作者:
Xin Cao
;
Thayne I.
;
Thoms S.
;
Holland M.
;
Stanley C.
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
关键词:
high electron mobility transistors;
submillimetre wave transistors;
indium compounds;
aluminium compounds;
gallium arsenide;
III-V semiconductors;
etching;
UVIII/PMMA T-gate resist stack;
InAlAs/InGaAs HEMT;
metamorphic high electron mobility transistors;
76.
Design-driven Optimisation of a 90 nm RF CMOS Process by use of Elevated Source/Drain
机译:
通过使用升高的源/排水来设计驱动90nm射频CMOS工艺的优化
作者:
D. Linten
;
S. Thijs
;
W. Jeamsaksiri
;
M. I. Natarajan
;
V. De Heyn
;
V. Vassilev
;
G. Groeseneken
;
A.J. Scholten
;
G. Badenes
;
M. Jurczak
;
S. Decoutere
;
S. Donnay
;
P. Wambacq
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
77.
A neural-network-based local inverse mapping technique for building statistical DMOS models
机译:
基于神经网络的局部逆映射技术,用于构建统计DMOS模型
作者:
S.F. Frere
;
B. Desoete
;
J. Rhayem
;
M. Anser
;
A.J. Walton
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
78.
Compact modeling of nanoscale MOSFETs in the ballistic limit
机译:
纳米级MOSFET在弹道极限的紧凑型建模
作者:
D. Jimenez
;
J. J. Saenz
;
B. Iniguez
;
J. Sune
;
L. F. Marsal
;
J. Pallares
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
79.
A 0.25μm SiGe BiCMOS Technology including Integrated RF Passive Components optimised for Low Power Applications
机译:
一个0.25μm的SiGe BICMOS技术,包括针对低功耗应用优化的集成RF无源元件
作者:
S. Van Huylenbroeck
;
S. Jenei
;
G. Carchon
;
A. Piontek
;
F. Vleugels
;
S. Decoutcre
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
80.
Measurements, Modelling and Electrical Simulations of Lateral PIN Photodiodes in Thin Film-SOI for High Quantum Efficiency and High Selectivity in the UV range
机译:
薄膜SOI横向销光电二极管的测量,建模和电模拟高量子效率和UV范围内的高选择性
作者:
A. Afzalian
;
D. Flandre
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
81.
A NOVEL ULTRA-LOW POWER RESET/READ-OUT TECHNIQUE FOR MEGAPIXELS CURRENT-MODE CMOS IMAGERS
机译:
用于百万像素的新型超低功耗重置/读出技术当前模式CMOS成像仪
作者:
Farid Boussaid
;
Amine Bermak
;
Abdesselam Bouzerdoum
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
82.
A novel SCR-based protection structure against ESD with efficient multi-finger triggering
机译:
具有高效多指触发的ESD基于基于SCR的保护结构
作者:
F. Azaies
;
B. Caillard
;
S. Dournelle
;
P. Nouet
;
P. Salome
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
83.
Realization of High-Efficiency 10 GHz Bandwidth Silicon Photodetector Arrays for Fully Integrated Optical Data Communication Interfaces
机译:
用于完全集成光学数据通信接口的高效10 GHz带宽硅光电探测阵列的实现
作者:
M.K. Emsley
;
O. Dosunmu
;
M.S. Uenlue
;
P. Muller
;
Y. Leblebici
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
84.
Subthrehold region conduction and 1/f noise empirical models in N-MOSFETs
机译:
子模块区域传导和N-MOSFET中的1 / F噪声实证模型
作者:
L. Pichon
;
J. M. Routoure
;
R. Carin
;
L. Nze Mekwama
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
85.
Vertical p-channel Double-Gate MOSFETs
机译:
垂直P沟道双栅极MOSFET
作者:
J. Moers
;
St. Trellenkamp
;
A. v. d. Hart
;
M. Goryll
;
S. Mantl
;
P. Kordos
;
H. Lueth
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
86.
Logistic Modeling of Progressive Breakdown in Ultrathin Gate Oxides
机译:
超薄栅氧化物渐进式故障的逻辑建模
作者:
E. Miranda
;
L. Bandiera
;
A. Cester
;
A. Paccagnella
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
87.
Retention time of novel charge rapping memories using Al{sub}2O{sub}3 dielectrics
机译:
使用Al {sub} 2o {sub} 3电介质的新颖电荷敲击存储器的保留时间
作者:
M. Specht
;
H. Reisinger
;
M. Stadele
;
F. Hofmann
;
A. Gschwandtner
;
E. Landgraf
;
R. J. Luyken
;
T. Schulz
;
J. Hartwich
;
L. Dreeskornfeld
;
W. Rosner
;
J. Kretz
;
L. Risch
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
88.
Failure of Multiple-Cell Power DMOS Transistors in Avalanche Operation
机译:
雪崩操作中多电池电源DMOS晶体管的故障
作者:
A.Icaza Deckelmann
;
G.Wachutka
;
F. Hirler
;
J.Krumrey
;
R.Henninger
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
89.
Analysis of Laterally Asymmetric Channel Design in Fully Depleted Double Gate (DG) SOI MOSFETs for High Performance Analog Applications
机译:
用于高性能模拟应用的完全耗尽双栅极(DG)SOI MOSFET中的横向不对称通道设计分析
作者:
A. Kranti
;
T. M. Chung
;
D. Flandre
;
J.-P. Raskin
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
90.
Monolithic Active Pixel Sensor for Dosimetry Application
机译:
用于剂量测定应用的单片有源像素传感器
作者:
F.Cannillo
;
G. Deptuch
;
W. Dulinski
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
91.
A Flash technology programmable non-volatile switch
机译:
闪光技术可编程非易失性开关
作者:
Auricchio C.
;
Borgatti M.
;
Martino A.
;
Maurelli A.
;
Pelliconi R.
;
Rolandi P.L.
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
关键词:
semiconductor switches;
flash memories;
programmable logic devices;
Flash technology programmable nonvolatile switch;
Flash-EEPROM cell;
programmable pass transistor;
FPT;
multicontext programmable-logic;
Flash-EEPROM NOR memory;
0.18 micron;
92.
Deep trench isolation for 600 V SOI power devices
机译:
深度沟槽隔离600 V SOI电源设备
作者:
Clavelier L.
;
Charlet B.
;
Giffard B.
;
Roy M.
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
关键词:
power semiconductor devices;
isolation technology;
silicon-on-insulator;
semiconductor device breakdown;
optimisation;
deep trench isolation;
SOI power devices;
thick silicon on insulator DTI;
process optimisation;
breakdown voltage capability;
600 V;
60;
93.
A Novel Fully Integrated Antenna Switch for Wireless Systems
机译:
用于无线系统的新型全集成天线开关
作者:
L. Fanucci
;
A. Hopper
;
B. Neri
;
D. Zito
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
94.
Modeling of SiGe Power HBT Intermodulation Distortion using HICUM
机译:
使用Hicum的SiGe Power HBT互调失真建模
作者:
P.Sakalas
;
M.Schroeter
;
L.Kornau
;
W.Kraus
;
J.Herricht
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
95.
Nonvolatile nanocrystal floating gate memory with -NON tunnel barrier
机译:
非挥发性纳米晶体浮栅存储器 - NON隧道屏障
作者:
Seung Jae Baik
;
Siyoung Choi
;
U-In Chung
;
Joo Tae Moon
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
96.
The Impact of Channel Engineering on the Performance Reliability and Scaling of CHISEL NOR Flash EEPROMs
机译:
渠道工程对凿履带的性能可靠性和缩放的影响
作者:
Nihar R. Mohapatra
;
Deleep R. Nair
;
S. Mahapatra
;
V. Ramgopal Rao
;
S. Shukuri
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
97.
Impact of Charging on Breakdown in Deep Trench Isolation Structures
机译:
充电对深沟隔离结构击穿的影响
作者:
B. Elattari
;
G. Van den bosch
;
W. Schoenmaker
;
G. Groeseneken
;
P. Coppens
;
P. Moens
;
F. De Pestel
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
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2003年
98.
High Performance 50nm T-Gate In_(0.52)Al_(0.48)As/In_(0.53)Ga_(0.47)As Metamorphic High Electron Mobility Transistors
机译:
高性能50nm T栅极IN_(0.52)AL_(0.48)AS / IN_(0.53)GA_(0.47)作为变质高电子移动晶体管
作者:
Xin Cao
;
Iain Thayne
;
Stephen Thorns
;
Martin Holland
;
Colin Stanley
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
99.
The Influence of Parasitic Resistances on the f_T-Optimisation of High-Speed SiGe-HBTs
机译:
寄生电阻对高速SiGE-HBT的F_T优化的影响
作者:
P. Agarwal
;
H.G.A. Huizing
;
P.H.C. Magnee
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
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2003年
100.
Electrical Analysis of Mechanical Stress Induced by Shallow Trench Isolation
机译:
浅沟渠隔离诱导机械应力的电气分析
作者:
C. Gallon
;
G. Reimbold
;
G. Ghibaudo
;
R.A. Bianchi
;
R. Gwoziecki
;
C. Raynaud
会议名称:
《European Solid-State Device Research Conference》
|
2003年
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