alumina; rapid thermal processing; MIS devices; dielectric materials; dielectric thin films; leakage currents; insulating thin films; MOCVD; permittivity; electrodes; RTP; metal/high-dielectric constant gate dielectric stack; CMOS; defect generation; met;
机译:使用低于90 nm CMOS技术节点的潜在低成本前端工艺原位制造金属栅/高k介电栅叠层
机译:UV / VUV增强的RTP对90-nm以下CMOS制程的金属栅极/高K栅极堆叠的工艺变化和器件性能的影响
机译:TmSiO / HfO 2 sub>介电堆栈在亚纳米EOT高
机译:用于制造金属/ MGH介电常数栅极介质叠层的原位RTF的优点,用于SUB 90 NM CMOS技术
机译:将超薄(1.6-2.0 nm)RPECVD堆叠的氧化物/氮氧化物栅极电介质集成到双多晶硅栅极亚微米CMOSFET中。
机译:用于高级CMOS器件的铝酸镧高介电常数栅氧化物的综合研究
机译:金属栅电极和用于子32nm散装CMOS技术的高电胶:用于低阈值电压器件应用的氧化镧覆盖层的应用