silicon; elemental semiconductors; etching; boiling point; surface roughness; wet anisotropic etching; ultra high temperature KOH solutions; boiling point; Si{100} smooth surface; Arrhenius plots; activation process; 80 degC; 145 degC; 135 degC; Si;
机译:碱性溶液中的硅各向异性刻蚀III:关于在KOH和KOH + IPA溶液中Si(100)各向异性刻蚀过程中形成空间结构的可能性
机译:碱性溶液中的硅各向异性蚀刻III:关于在KOH和KOH加IPA溶液中Si(100)各向异性蚀刻过程中形成空间结构的可能性
机译:在接近KOH溶液沸点的高温范围内快速蚀刻具有光滑表面的硅
机译:SI {100}和{110}的快速湿湿蚀刻,在超高温KOH溶液中具有光滑的表面
机译:高能(约100s eV)氧原子中性束对聚合物膜的各向异性刻蚀
机译:KOH溶液中Si的一步各向异性湿法腐蚀制备的两层微结构
机译:在KOH溶液中通过一步各向异性湿法蚀刻si制备双层微结构