机译:单晶片快速热炉中的热处理
机译:100纳米以下技术的已植入和快速热处理退火晶片的二次离子质谱分析
机译:P注入的亚稳Si / Ge_(0.12)Si_(0.88)的快速热退火优于炉退火的优势
机译:单晶片炉和基于灯的快速热处理器植入退火的比较研究
机译:快速热退火欧姆触点与砷化镓的比较电特性。
机译:通过硅烷化合物改性和快速热退火处理化学镀镍磷膜在硅片上的附着力
机译:N +离子注入和快速热退火的Si(100)晶片的光学特性,通过光谱椭圆偏振法研究
机译:(100)硅的磷硅酸盐玻璃的比较研究及快速等温退火