碲锌镉探测器晶片退火新工艺

摘要

本文报道了一种CZT探测器晶片退火的新装置和新工艺，该装置可以方便有效的对CZT单晶片进行同成分源退火研究。实验采用自行设计制作的装置在富Cd的同成分CZT粉末源包裹、在400℃下退火120h。晶片的电阻率、红外透过率等都有较大的提高和改善。XPS分析表明，CZT单晶片中的Te沉淀(Cd空位)主要以扩散的方式向晶体表面运动，晶体的均匀性得到改善。