机译:在时空上解决热载流子应力下n沟道多晶硅薄膜晶体管的退化
机译:在具有正漏极偏置的OFF区域中动态施加应力的n沟道低温多晶硅TFT的性能下降
机译:使用双栅极低温多Si TFT抑制扭结效应和热载波应力降解
机译:由于高场,热载体和辐射应力,N沟道多Si TFT的装置劣化
机译:高场应力下闪存EEPROM器件中隧道栅氧化物的降解。
机译:采用无注入技术的全栅TiN / Al2O3堆叠结构的低温多晶硅纳米线无结器件
机译:由于高场,热载流子和辐射应力,n沟道多晶硅TFT的器件性能下降
机译:双极晶体管中热载流子应力与电离诱导退化的相关性