机译:CF_4等离子体中SiO_2刻蚀过程中侧壁性能对底部微沟槽的影响
机译:SiO_2刻蚀过程中高纵横比接触孔中电荷积累和侧壁电导率的晶圆上监测
机译:抗蚀剂侧壁形态对蚀刻过程中线边缘粗糙度降低和转移的影响:显影后的抗蚀剂侧壁是各向同性还是各向异性的?
机译:蚀刻,侧壁钝化和接触孔和边缘区域的微生物
机译:硅/硅锗化物异质结构的各向异性碳氟化合物等离子体刻蚀和等离子体刻蚀引起的侧壁损伤
机译:六方氮化硼向具有确定的边缘和孔的纳米片的氧化腐蚀
机译:等离子体蚀刻过程中侧壁线边缘粗糙度转移的起源,演变和控制
机译:耐火金属等离子体蚀刻过程中氧化侧壁钝化