包含接触结构有形成于接触蚀刻中止层之侧壁上之保护层的半导体装置

摘要

本发明涉及包含接触结构有形成于接触蚀刻中止层之侧壁上之保护层的半导体装置，在形成具有接触插塞的半导体装置时，其中该接触插塞包含形成于蚀刻中止层之侧壁上以减少短路风险之保护层，可藉由进行溅镀制程以从接触区移除材料以及再沉积被移除的该材料于该蚀刻中止层的该侧壁上，来形成该保护层。