机译:抗蚀剂侧壁形态对蚀刻过程中线边缘粗糙度降低和转移的影响:显影后的抗蚀剂侧壁是各向同性还是各向异性的?
National Centre of Scientific Research, Demokritos Institute of Microelectronics Aghia Paraskevi, 15310 Greece;
National Centre of Scientific Research, Demokritos Institute of Microelectronics Aghia Paraskevi, 15310 Greece;
National Centre of Scientific Research, Demokritos Institute of Microelectronics Aghia Paraskevi, 15310 Greece;
Centre National de la Recherche Scientifique Laboratorie des Technologies de la Micro-electronique 17 Avenue des Martyrs 38054 Grenoble Cedex 9, France;
Centre National de la Recherche Scientifique Laboratorie des Technologies de la Micro-electronique 17 Avenue des Martyrs 38054 Grenoble Cedex 9, France;
line-edge roughness; etching; lithography; atomic force microscopy; modeling; correlation length.;
机译:抗蚀剂侧壁形态对蚀刻过程中线边缘粗糙度降低和转移的影响:显影后的抗蚀剂侧壁是各向同性还是各向异性的?
机译:侧壁刻蚀对SiOx电阻随机存取存储器电学性能的影响
机译:侧壁刻蚀对SiO_x电阻随机存取存储器电性能的影响
机译:显影后的抗蚀剂侧壁是各向同性还是各向异性的?抗蚀剂侧壁形态对蚀刻过程中LER减少和转移的影响
机译:硅/硅锗化物异质结构的各向异性碳氟化合物等离子体刻蚀和等离子体刻蚀引起的侧壁损伤
机译:通过使用非化学放大的抗蚀剂和曝光后烘烤来制造具有改善的线边缘粗糙度的高分辨率掩模
机译:了解三维侧壁粗糙度对扫描电子显微镜图像中观察到的线边粗糙度的影响